北航的郝维昌教授联合大连理工大学的赵纪军团队，陕北以及中科院高能物理研究所的王嘉鸥团队合作利用分子束外延生长成功制备出了具有翘曲结构的单层锡烯，陕北扫描隧道谱（STS）显示去合金化的二维锡烯仍具有一定金属性的电子结构。

司宏国对XR设备的前景表示看好：湖北我们认为2024年将是VR、AR设备的增长高峰年，未来2-5年是持续增长期。注：特高套电三星、特高套电高通和谷歌曾于今年2月宣布结成XR联盟，LG总裁赵柱完（音译）也在今年7月举行的中长期业务战略新闻发布会上谈到XR时表示，当时正与几家公司接触并研究商业化的可能性。

三星和LG并未明确说明何时推出产品，压运报道称最早预计在明年上半年。此外，建配LG还表示当前正在开发智能眼镜。同时，厂送出项司宏国称目前计划在明年第一季度推出下一代XR芯片，厂送出项将比MetaQuest头显采用的第二代芯片（XR2）更加先进，预计在图形处理能力、视频透视能力和AI性能均会优于第二代芯片。

高通技术公司副总裁兼XR部门总经理司宏国（HugoSwart）日前在美国毛伊岛上的活动中表示，目全关于合作目前不能透露细节，目全但我们确实在与三星电子、LG电子合作。司宏国表示，部投LG在多个领域具有专长，而三星自从宣布与高通、谷歌合作以来，就已经取得了很多进展。

▲图为高通第二代骁龙XR2平台预计三星和LG将基于第三代芯片制造XR终端，陕北以应对Meta的Quest和苹果的VisionPro等产品。

据韩媒etnews今日报道，湖北三星和LG已被证实正在开发基于高通芯片的XR设备特高套电(e,f)无机钙钛矿TENG的电源电路管理系统及点亮80个LED灯。

压运(b,c)无机CsPb0.91Ba0.09Br3钙钛矿TENG在20~80oC及30~80%的相对湿度范围内的Voc输出。(c,d)不同Ba2+含量条件下，建配无机钙钛矿TENG的Isc输出性能。

厂送出项(g)无机CsPb0.91Ba0.09Br3钙钛矿TENG的充电特性。常用的电介质多为绝缘体聚合物，目全其巨大的内部阻抗是造成TENG输出电流和功率密度较低的原因之一。